인에스
InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다. 이러한 구조는 2~14μm 파장의 중적외선 양자 캐스케이드 레이저 및 적외선 발광 장치를 만드는 데 사용할 수 있습니다. 이러한 적외선 장치는 저손실 광섬유 통신 및 가스 모니터링에 사용될 가능성이 높습니다. 또한 InAs 단결정은 전자 이동성으로 인해 홀 장치에 완벽한 재료입니다.
일반 사양 |
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크기 |
2" |
3" |
4" |
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정위 |
(100)±0.1도 |
(100)±0.1도 |
(100)±0.1도 |
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직경(mm) |
50.5±0.5 |
76.2±0.4 |
100.0±0.5 |
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오리엔테이션 |
EJ |
EJ |
EJ |
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용인 |
±0.1도 |
±0.1도 |
±0.1도 |
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OF 길이(mm) |
16±2 |
22±2 |
32.5±2.5 |
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IF 길이(mm) |
8±1 |
11±1 |
18±1 |
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두께(μm) |
500±25 |
625±25 |
1000±25 |
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크기는 사용자 정의될 수 있습니다. |
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전도도 및 도펀트 |
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도펀트 |
전도도 유형 |
CC/cm-2 |
이동성/cm²V-1S-1 |
전위 밀도/cm-2 |
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도핑되지 않은 |
p형 |
(1~3)x10-18 |
>2000 |
2",3",4" 1000보다 작거나 같음 |
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요청 시 더 엄격한 전기 측정 기준을 제공할 수 있습니다. |
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평탄 |
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표면 |
2" |
3" |
4" |
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광택/에칭 |
TTV(μm) |
<10 |
<10 |
<15 |
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활(μm) |
<8 |
<8 |
<10 |
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변형(μm) |
<12 |
<12 |
<15 |
||||
광택/광택 |
TTV(μm) |
<5 |
<5 |
<5 |
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활(μm) |
<5 |
<5 |
<5 |
||||
변형(μm) |
<8 |
<8 |
<10 |
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