게르마늄 단결정 준비

■ 게르마늄 단결정은 게르마늄 잉곳을 원료로 존용융하여 CZ법이나 수직구배법(VGF법) 등의 방법으로 만들어집니다.
■ CZ 방식(CZ): 결정을 뽑기 전 장비의 모든 부품, 합금 석영 도가니, 고순도 게르마늄 잉곳 및 종자 결정을 세척합니다. 고순도 게르마늄은 일괄 처리 및 도핑 후 단결정로의 합금 석영 도가니에 첨가 된 후 진공 및 용융됩니다. 순환하는 아르곤 분위기에서 인공 크리스탈 숄더링과 테일링이 수행됩니다. 결정의 등직경 성장 과정에서는 인상 속도, 도가니, 종자정 속도 제어 등의 조치와 ​​로 온도 및 단결정 직경 자동 제어 등의 기술을 사용하여 균일한 직경의 제품을 얻습니다. 테스트와 무게 측정을 거쳐 완성된 게르마늄 단결정을 얻습니다.
■ 부유층 용해 및 레벨링 방법: 사용된로는 수평형 석영관 가열로로 저항률이 균일한 게르마늄 단결정을 생산할 수 있습니다.
■ 고순도 금속 게르마늄에 인듐, 갈륨, 붕소 등 3가 원소를 첨가해 p형 게르마늄을 얻습니다.
■ 안티몬, 비소, 인 등 5가 원소를 첨가하여 n형 게르마늄을 얻습니다.