GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
중국 화합물 반도체 비정질 재료 제조업체 공장 공급업체
경쟁력으로 텔레비전 용 실리콘 잉곳, 우산을위한 실리콘 잉곳, 텔레비전용 실리콘 잉곳, 녹색 실리콘 주괴 제조업체, 우리는 수년 동안이 업계에 깊이 관여 해 왔으며 어디에서나 고객으로부터 100% 신뢰를 얻었습니다. 우리는 정직, 혁신, 속도 및 상생의 비즈니스 철학을 통해 고객에게 서비스를 제공하여 제품 비용을 지속적으로 줄이고 품질을 향상시킵니다.화합물 반도체 비정질 재료 국제 시장에서 더 경쟁력이 있습니다. 우리는 회사의 재능있는 사람들이 사명을 받아 회사의 개혁과 발전에 더 많은 기여를 할 용기를 갖기를 바랍니다. 우리 회사는 '글로벌 기술을 수집하고 고객 가치 달성'이라는 비즈니스 철학을 계속 준수 할 것입니다. 우리는 기술 혁신의 변화와 적용에 대한 유익한 결과를 얻었고, 품질 개선 및 효율성 향상의 속도를 가속화했으며, 기업 개혁 및 혁신에서 수많은 성과를 거두었습니다. 우리는 항상 당신과 비트를 공유하고 전 세계 고객에게 안정적인 품질의 제품과 전문 서비스를 제공합니다. 우리 회사는 설립 이후 급속한 성장을 유지하고 있으며 항상 과학적이고 엄격한 관리 및 운영 모드를 준수하며 고객에게 고품질 제품과 만족스러운 서비스를 제공합니다. 사회적 책임에 대한 우리의 헌신은 우리가 운영하는 지역 사회에 긍정적 인 영향을 미치는 데 전념하고 있음을 의미합니다.
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![2 "-6 " GaAs 기판]()
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![2", 3" 및 4" InP 기판]()
2", 3" 및 4" InP 기판Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" GaSb 기판]()
2", 3" 및 4" GaSb 기판중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼]()
2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.자세히 보기 -
![2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼]()
2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.자세히 보기 -
![식 웨이퍼]()
Lela Virgil
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