GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
중국 화합물 반도체 유전체 제조업체 공장 공급업체
이 회사의 생산 공정은 자동화 된 생산 모델을 채택하여 노동 집약에서 산업 자동화로 새로운 혁명을 가져 왔습니다. 불화, 국내 시장을위한 사파이어 웨이퍼, 레이저 애플리케이션 용 사파이어 웨이퍼 산업. 우리는화합물 반도체 유전체 중국의 레이저 응용 프로그램에 대한 상대적으로 포괄적 인 범위를 가진 제조업체. 우리는 책임 및 기여의 평가 표준을 통해 가치 지향 시스템을 통해 직원의 주관적 이니셔티브와 창의성을 효과적으로 자극하여 직원 가치와 기업 가치의 조화로운 통일을 실현합니다. 우리의 기업 슬로건은 아이디어를 해결하고, 개념을 업데이트하고, 앞서 나가고 항상 첫 번째를 위해 노력하는 것입니다. 우리는 기술 혁신을 계속 수행하고 항상 업계의 주요 설계 수준을 유지하며 시장을 계속 개설하고 관리를 강화하며 국내에서 국내 및 국제로 이동합니다. 우리 회사는 제품과 서비스를 통해 세계에 긍정적 인 영향을 미치기 위해 노력하고 있습니다. 우리 회사는 프로세스의 모든 단계에서 뛰어난 고객 서비스 및 지원을 제공하기 위해 노력하고 있습니다. 우리는 사회적 책임에 전념하고, 우리가 운영하는 지역 사회에 투자하고 지속 가능성과 환경 보호를 촉진하기 위해 노력하고 있습니다.
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![2 "-6 " GaAs 기판]()
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![2", 3" 및 4" InP 기판]()
2", 3" 및 4" InP 기판Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" GaSb 기판]()
2", 3" 및 4" GaSb 기판중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼]()
2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.자세히 보기 -
![2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼]()
2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.자세히 보기 -
![식 웨이퍼]()
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