GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
중국 화합물 반도체 필터 제조업체 공장 공급업체
현대화 광택 실리콘 웨이퍼의 표준 사양, 모델 용 실리콘 잉곳, 커패시터용 실리콘 잉곳 이 회사가 홍보하는 산업은 현대 과학 기술과 산업화 된 생산 방법을 사용하여 전통적이고 광범위한 산업을 포괄적으로 변화시키고 현대 경제 사회의 발전에 부합하기 위해 생산 방법의 산업화, 강화 및 사회화를 점차적으로 실현하기 위해 과학과 기술에 의해 안내됩니다. 필요하다. 우리는 우수한 제품 품질, 전문 기술 요원을 보유하고 있습니다화합물 반도체 필터 고객이 행복하게 구매하고 자신감을 가지고 사용할 수 있도록 좋은 애프터 서비스. 훌륭한 관리, 강력한 기술 능력 및 엄격한 탁월한 핸들 절차를 통해 고객에게 평판이 좋은 최고 품질, 합리적인 판매 가격 및 훌륭한 제공 업체를 계속 제공합니다. 개발은 우리의 생존을 보장하고 목표를 달성하는 유일한 방법이며, 무결성은 우리의 기초이며 가장 귀중한 자산, 성과는 우리의 구동력과 가치 측정 척도입니다. 우리 회사에는 다양한 장비, 현대 공장, 디지털 관리, 국제 최첨단 기술을 이끄는 업계의 국제 브랜드를 개발하고 있습니다. 우리 회사는 혁신과 새로운 기술 채택에 대한 강력한 헌신을 가지고 있습니다. 우리의 성공은 모든 이해 관계자에 대한 책임, 성실 및 상호 존중에 기반을두고 있습니다. 우리는 품질 보증에 대한 사전 예방 적 접근을 믿고, 최고 수준의 우수성을 보장하기 위해 엄격한 테스트 및 평가 프로세스를 구현합니다.
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![2 "-6 " GaAs 기판]()
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![2", 3" 및 4" InP 기판]()
2", 3" 및 4" InP 기판Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" GaSb 기판]()
2", 3" 및 4" GaSb 기판중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼]()
2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.자세히 보기 -
![2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼]()
2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.자세히 보기 -
![식 웨이퍼]()
크리스티나 영
회사의 기술자는 참을성이없고 성능이 없으며 모든 문제를 해결하는 데 어려움을 겪었습니다.
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