중국 화합물 반도체 발자국 제조업체 공장 공급업체

• 2 "-6 " GaAs 기판

  GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
  VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.

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• 2", 3" 및 4" InP 기판

  Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.

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• 2", 3" 및 4" GaSb 기판

  중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.

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• 2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼

  InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.

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• 2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼

  매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.

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• 식 웨이퍼

  카보런덤이라고도 불리는 실리콘 카바이드(SiC)는 실리콘과 탄소로 구성된 화학식 SiC를 갖는 반도체입니다. 고전압, 고온 또는 두 가지 모두가 필요한 장치에는 탄화규소(SiC)가 사용됩니다.

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리뷰

티모시 헤인즈

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