GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
중국 복합 반도체 이미지 처리 제조업체 공장 공급업체
시장 경쟁에서 우리 회사는 경쟁 우위를 적극적으로 얻고 유지합니다. 인쇄 회로 보드 용 사파이어 웨이퍼, 극한 환경을위한 웨이퍼, 라우터 용 실리콘 잉곳 배포 채널. 우리의 제품은 사용자가 널리 인정 받고 신뢰하며 지속적으로 변화하는 경제 및 사회적 요구를 충족시킬 수 있습니다.복합 반도체 이미지 처리 . 우리는 더 나은 서비스를 제공하고 모든 고객에게 더 많은 가치를 창출하기 위해 노력합니다. 멀리 있거나 가까이 있더라도 손님, 우리는 당신을 환영합니다. 당신은 오랫동안 우리를 지원해 준 손님입니다. 우리는 언제나처럼 더 나은 서비스를 제공 할 것입니다. 우리는 최신 장비 및 관리 방법을 사용하여 회사 제품의 품질을 보장합니다. 우리의 사명은 고품질 제품과 전문 서비스가 필요한 비즈니스를위한 자원이되는 것입니다. 우리는 탁월한 고객 서비스 및 지원을 제공하기 위해 노력하고 있습니다. 우리는 수년간 국제 무역 사업에 종사 해 왔습니다.
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![2 "-6 " GaAs 기판]()
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![2", 3" 및 4" InP 기판]()
2", 3" 및 4" InP 기판Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" GaSb 기판]()
2", 3" 및 4" GaSb 기판중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼]()
2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.자세히 보기 -
![2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼]()
2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.자세히 보기 -
![식 웨이퍼]()
캐슬린 펠르 만
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