GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
중국 화합물 반도체 비밀폐형 제조업체 공장 공급업체
우리 팀은 함께 일합니다. 모든 회원은 회사 경영의 핵심과 밀접하게 연합하여 고객에게 고품질을 제공합니다. 산업용 전자 제품 웨이퍼, 현지 시장을위한 사파이어 웨이퍼, 카메라 렌즈 용 사파이어 웨이퍼 서비스 및 기업 비전의 실현을 향해 협력합니다. 회사는 "화합물 반도체 비밀폐형 업계 리더는 기업의 비전으로서 "고객, 청렴성, 혁신, 진보 및 우수성을 핵심 가치로 달성합니다. 우리는 지속적으로 기술 지향 및 브랜드 이미지 구축을 준수합니다. 당사의 장비는 고급 기술, 복잡한 기능, 첨단 컨텐츠 및 빠른 제품 업그레이드가 특징입니다. 우리는 회사 관리 및 생산 관리에주의를 기울입니다. 우리는 회사의 전략적 개발에 따라 합리적인 인재 팀을 계속 구축하고 가치 플랫폼과 인재 개발을 제공함으로써 조직 개발의 목적을 달성 할 것입니다. 우리는 모든 운영에서 지속 가능하고 윤리적 인 비즈니스 관행을 장려하기 위해 노력하고 있습니다. 우리는 글로벌 마켓 플레이스에 대한 깊은 이해를 가지고 있으며 고객에게 최고의 제품과 서비스를 제공 할 수 있도록 트렌드를 지속적으로 모니터링하고 있습니다.
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![2 "-6 " GaAs 기판]()
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![2", 3" 및 4" InP 기판]()
2", 3" 및 4" InP 기판Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" GaSb 기판]()
2", 3" 및 4" GaSb 기판중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼]()
2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.자세히 보기 -
![2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼]()
2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.자세히 보기 -
![식 웨이퍼]()
Emeline Gooch
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마이클 캠벨
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