GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
중국 화합물 반도체 단결정 제조업체 공장 공급업체
우리의 전자 산업을위한 GE 웨이퍼, 야외 요리를위한 실리콘 잉곳, 화합물 반도체 마킹 과학 및 기술, 우수한 품질 및 합리적인 가격을 보유하고 있으며 시장 개발에 큰 잠재력이 있습니다. 우리는 고객의 요구를 충족시키고 지속적으로 우리의화합물 반도체 단결정 광범위한 적용을 촉진합니다. 우리는 항상 경쟁력있는 가격으로 고품질 제품을 공급하고 모든 고객에게 최고의 서비스를 제공합니다. 우리 제품의 품질은 모든 측면에서 엄격한 제어를 받으므로 자신있게 구매할 수 있습니다. 우리는 혁신적인 기술과 부지런한 작업을 통해 우수한 제품을 생산하여 환경을 충족시키고 고객과 사회를위한 가치를 창출합니다. 우리는 국제 시장을 빠르게 개발하고 글로벌 영향과 명성의 개선을 가속화 할 것입니다. 우리는 항상 당신과 비트를 공유하고 전 세계 고객에게 안정적인 품질의 제품과 전문 서비스를 제공합니다. 고객 관리에 대한 우리의 접근 방식은 각 고객의 고유 한 요구를 충족시키기 위해 개별화되고 맞춤화됩니다. 사회적 책임에 대한 우리의 헌신은 우리가 운영하는 지역 사회에 긍정적 인 영향을 미치는 데 전념하고 있음을 의미합니다.
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![2 "-6 " GaAs 기판]()
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![2", 3" 및 4" InP 기판]()
2", 3" 및 4" InP 기판Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" GaSb 기판]()
2", 3" 및 4" GaSb 기판중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼]()
2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.자세히 보기 -
![2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼]()
2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.자세히 보기 -
![식 웨이퍼]()
지나 그리핀
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