GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
중국 화합물 반도체 트랜지스터 제조업체 공장 공급업체
품질 보장 전제로 제품의 다양 화는 우리의 산업용 GE 웨이퍼, 복합 반도체 설계, 화합물 반도체 플랫폼, 화합물 반도체 설계 국내외에서 잘 팔리고 고객의 신뢰와 높은 찬사를 받았습니다. 우리 회사는 더 나은 수준을 나타냅니다화합물 반도체 트랜지스터 생산 규모 및 기술력 측면에서 산업. 우리의 기업은 생산 시설과 비즈니스 가치 사슬의 규모를 더욱 확장하여 생산을 늘리기 위해 시장 수요로 개발하고 확장하고 있습니다. 우리는 소비자에게 고품질 제품을 제공하기 위해 높은 수준의 제품 설계 및 품질 요구 사항을 준수합니다. 우리는 개혁과 혁신의 실천에서 시대의 속도를 따르고, 변화를 주도하고, 자원 할당을 최적화하고, 개발 아이디어를 변화시킬 것입니다. 고객 만족도 없이는 성공할 수 없습니다. 고객 만족은 우리의 끊임없는 추구입니다. 우리 회사는 고품질 표준을 유지하면서 제품에 대한 경쟁력있는 가격을 제공하기 위해 노력하고 있습니다. 당사의 제품은 다양한 산업 분야의 고객의 다양한 요구를 충족하도록 설계되었습니다.
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![2 "-6 " GaAs 기판]()
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![2", 3" 및 4" InP 기판]()
2", 3" 및 4" InP 기판Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" GaSb 기판]()
2", 3" 및 4" GaSb 기판중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼]()
2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.자세히 보기 -
![2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼]()
2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.자세히 보기 -
![식 웨이퍼]()
그리고 피트
나는이 협력의 모든 세부 사항에 만족합니다. 특히 판매자는 저를 소중한 손님처럼 대합니다.
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