GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
중국 화합물 반도체 진공 포장 제조업체 공장 공급업체
우리의 모든 기술 지표 생물학적 물질을위한 사파이어 웨이퍼, 적외선 응용을위한 사파이어 웨이퍼, 프로젝터용 실리콘 잉곳 업계의 주요 수준에 도달했으며 제품 품질이 우수합니다. 우리는 역동적이고 혁신적입니다화합물 반도체 진공 포장 항상 고객의 기대를 초과 할 수있는 방법을 찾고있는 회사. 회사는 브라질에있는 우리 공장으로가는 것도 언제든지 환영합니다. 우리는 먼저 고객의 요구를 분석 한 다음 목표 디자인을 수행하여 고객에게 고품질 제품을 제공해야합니다. 우리 회사는 핵심 정신으로 사람들을 지향 할 것입니다. 사람들은 고객을 더 잘 존중할 수 있도록하는 것입니다. 동시에 직원들도 치료하고 싶습니다. 우리의 최첨단 시설은 최신 기술을 사용하여 효율적인 생산 및 배송을 보장합니다. 우리 팀은 복잡한 물류 및 운송 요구 사항을 다루는 경험이 있습니다. 우리 팀은 경험이 풍부하고 재능있는 전문가들로 구성되어 있으며, 자신이하는 일에 열정을 가지고 고객에게 최상의 결과를 제공하기 위해 노력하고 있습니다.
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![2 "-6 " GaAs 기판]()
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![2", 3" 및 4" InP 기판]()
2", 3" 및 4" InP 기판Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" GaSb 기판]()
2", 3" 및 4" GaSb 기판중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼]()
2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.자세히 보기 -
![2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼]()
2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.자세히 보기 -
![식 웨이퍼]()
Christy Faber
한동안 사용해 왔으며 여전히 문제없이 새롭게 좋아 보이지만 완벽하게 맞습니다.
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