중국 화합물 반도체 도파관 제조업체 공장 공급업체

현대화 노인 제품을위한 실리콘 잉곳, 화합물 반도체 보증, 화합물 반도체 저전력 이 회사가 홍보하는 산업은 현대 과학 기술과 산업화 된 생산 방법을 사용하여 전통적이고 광범위한 산업을 포괄적으로 변화시키고 현대 경제 사회의 발전에 부합하기 위해 생산 방법의 산업화, 강화 및 사회화를 점차적으로 실현하기 위해 과학과 기술에 의해 안내됩니다. 필요하다. 우리는 지속적으로``개발을 가져 오는 혁신, 생계 보장, 경영진, 혜택 증진, 고객 유인 신용화합물 반도체 도파관 . 훌륭한 관리, 강력한 기술 능력 및 엄격한 탁월한 핸들 절차를 통해 고객에게 평판이 좋은 최고 품질, 합리적인 판매 가격 및 훌륭한 제공 업체를 계속 제공합니다. 이 직원과 회사가 함께 성장하여 두 회사 모두에게 상생 상황을 창출하기를 희망합니다. 개발은 우리의 생존을 보장하고 목표를 달성하는 유일한 방법이며, 무결성은 우리의 기초이며 가장 귀중한 자산, 성과는 우리의 구동력과 가치 측정 척도입니다. 우리의 성공은 신뢰, 신뢰성 및 탁월한 서비스를 기반으로 강력한 고객 관계의 기초를 기반으로합니다. 우리의 성공은 모든 이해 관계자에 대한 책임, 성실 및 상호 존중에 기반을두고 있습니다. 우리는 고객의 관점에서 시작하고 비즈니스 모델과 도전을 이해하며 가치에 맞는 혁신적인 솔루션을 찾는 데 능숙합니다.
  • 2 "-6 " GaAs 기판
    GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
    VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
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  • 2", 3" 및 4" InP 기판
    Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.
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  • 2", 3" 및 4" GaSb 기판
    중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.
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  • 2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼
    InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.
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  • 2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼
    매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.
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  • 식 웨이퍼
    카보런덤이라고도 불리는 실리콘 카바이드(SiC)는 실리콘과 탄소로 구성된 화학식 SiC를 갖는 반도체입니다. 고전압, 고온 또는 두 가지 모두가 필요한 장치에는 탄화규소(SiC)가 사용됩니다.
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잭 제임스 star star star star star
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윌리엄 커티스 star star star star star
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제이슨 마르티네즈 star star star star star
때로는 일을 끝내려면 협력이 필요합니다. 그러나 한 사람이 열심히 일하는 한 협력은 불가능합니다. 회사와의 협력은 매우 즐겁습니다.
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