GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
중국 compound semiconductor yield 제조업체 공장 공급업체
이 회사는 제조 분야에서 매우 풍부한 실질적인 경험을 가지고 있습니다. 가혹한 환경을위한 웨이퍼, 특성화를위한 사파이어 웨이퍼, 세탁기용 실리콘 잉곳 그리고 시장을 목표로하고 세계의 고급 기술 수준을 추적하며, 사운드 관리 시스템 및 애프터 판매 서비스에 의존하고 정직하고 신뢰할 수 있고 안정적인 태도 및 신뢰할 수있는 품질, 합리적인 가격, 고객에게 만족스러운 제품을 제공하기 위해 노력합니다. 우리는 제조에서 고품질을지지 할뿐만 아니라compound semiconductor yield 또한 모든 고객에게 사려 깊고 완벽한 애프터 서비스를 제공합니다. 우리의 새로운 개발 전략은 회사의 산업 업그레이드 및 구조적 변화를 촉진하는 것입니다. 우리는 항상 우리의 성실, 효율성, 세부 사항, 열정 및 일류 제품을 사용하여 사용자의 요구를 충족시킵니다. 전문적이고 헌신적 인 기업 정신을 고수하면서 우리는 사람들 중심의 문화를 구축하기 위해 노력합니다. 공급 업체 및 파트너의 글로벌 네트워크를 통해 전 세계의 제품을 공급할 수 있습니다. 우리는 고객의 다양한 요구를 충족시키기 위해 개인화되고 효과적인 솔루션을 제공한다고 믿습니다. 우리는 고객의 요구에 맞는 다양한 유연한 지불 및 금융 옵션을 제공합니다.
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![2 "-6 " GaAs 기판]()
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![2", 3" 및 4" InP 기판]()
2", 3" 및 4" InP 기판Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" GaSb 기판]()
2", 3" 및 4" GaSb 기판중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼]()
2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.자세히 보기 -
![2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼]()
2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.자세히 보기 -
![식 웨이퍼]()
에밀리 로크
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