GaAs 웨이퍼 또는 GaAs 기판 웨이퍼. 2"GaAs 웨이퍼, 3"GaAs 웨이퍼, 4"GaAs 웨이퍼, 6"GaAs 웨이퍼
VCSEL용 GaAs 웨이퍼, LD용 GaAs 웨이퍼, LED용 GaAs 웨이퍼, 마이크로일렉트로닉스용 GaAs 웨이퍼.
중국 화합물 반도체 마이크로컨트롤러 제조업체 공장 공급업체
우리 회사는 R & D 혁신, 생산 개선 및 모든 유형의 영업 프로모션과 같은 모든 비즈니스에 전념 좋은 열전도율을 가진 사파이어 웨이퍼, 그릴 용 실리콘 잉곳, 프로젝터용 실리콘 잉곳 . 우리 회사의 발전은 지금까지 기술의 지속적인 혁신, 지속적인 업데이트에 달려 있습니다.화합물 반도체 마이크로컨트롤러 그리고 고객으로부터 아이콘 제품의 신뢰와 지원을 얻은 더 열정적 인 서비스. 우리는 회사의 발전이 모든 직원의 노력과 투쟁과 분리 할 수 없다는 것을 알고 있듯이, 우리는 항상 재배와 발전에 큰 중요성을 부여했습니다. 앞으로 우리 회사는 계속해서 좋은 명성을 유지하고 Green Development의 도로를 만들기 위해 업계의 동료들과 함께 기꺼이 참여할 것입니다. 우리 회사는 고객에게 탁월한 가치를 제공하는 것으로 유명합니다. 우리 회사는 사회적 책임, 자선 원인 및 사회에 긍정적 인 영향을 미치는 지역 사회 이니셔티브를 지원하기 위해 노력하고 있습니다. 우리의 사명은 탁월한 제품과 서비스를 제공함으로써 고객 기대치를 초과하는 것입니다. 당사의 제품은 포괄적 인 보증 및 고객 지원 프로그램으로 뒷받침되어 고객에게 마음의 안심을줍니다.
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![2 "-6 " GaAs 기판]()
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![2", 3" 및 4" InP 기판]()
2", 3" 및 4" InP 기판Shanghai Ruyuan Electronic Materials Company는 통신 및 마이크로 전자공학 분야에 사용되는 핵심 반도체 소재인 고품질 인화인듐(InP) 웨이퍼를 제공합니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" GaSb 기판]()
2", 3" 및 4" GaSb 기판중요한 III-V족 직접 밴드갭 반도체 재료인 GaSb는 밴드갭 폭이 0.72eV이므로 중적외선 대역 레이저 및 클래스 I 초격자 검출기를 생성하기 위한 완벽한 기판입니다.자세히 보기 -
![2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼]()
2", 3" 및 4" 인듐 비화물 웨이퍼InAs 단결정은 InAsSb/nAsPSb, InNAsSb, 이종접합 및 InAs/GaSb 초격자 구조의 성장을 위한 기판 역할을 할 수 있습니다.자세히 보기 -
![2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼]()
2", 3" 안티몬화인듐 웨이퍼매우 좁은 밴드 갭, 작은 유효 전자 질량 및 높은 전자 이동도로 인해 III-V 반도체 결정 재료의 일종인 안티몬화 인듐(InSb)은 자기 저항 부품, 홀 장치 및 기타 산업 기술에서 중요한 용도로 사용됩니다.자세히 보기 -
![식 웨이퍼]()
Steven Stovall
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브랜든 고스
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